INTERNAL MEMORY

INTERNAL MEMORY.

Secara asas memori terbahagi kepada :

·         Memori fizikal

·         Memori virtual

·         Caches

Operasi kepada cell memori ada dua iaitu write and read.

Dia mempunyai 2 terminal iaitu:

1.      Select terminal – untuk membuat pilihan sama ada cell memori perlu baca atau pun menulis.

2.      Terminal pengawalan – to indicate read/write.

SEMIKONDUKTOR MEMORI.

·         RAM (RANDOM ACCESS MEMORY)

o   Boleh baca / tulis.

o   Volatile

o   Simpanan sementara.

o   Terbahagi kepada dua static atau dinamik.

Static RAM.

Menggunakan banyak transistor, selalunya 4-6 setiap satu cell memori tapi tak ada kapasitor dalam setiap cell.Selalunya SRAM digunakan untuk cache.

Dynamic RAM

Ada cell memori menggunakan transistor dan kapasitor.

Dynamic RAM

·         Memori utama.

·         Tidak mahal.

·         Perlahan

·         Need refresh circuits

·         Smaller per bits

·         Essentially analogue

o   Setiap level berdasarkan nilainya.

·         Simpler constraction

·         Charges leak

·         Bits stored as charge in capacitors.

DRAM OPERATION.

·         Address line (dalam i/o module) aktif apabila bit dibaca atau ditulis.

o   Transistor ditutup(cuurent flows)

·         Tulis(write)

o   Voltage to bit line

§  Nilai 1 tinggi , 0  yang rendah.

o   Signal untuk address line

§  Transsferrs charge to capacitor.

·         Baca(read)

o   Address line dpilih.

§  Transistor dibuka.

o   Charge from capacitor fed via bit line to sense amplifier

§  Bandingkan menggunakan rujukan nilai 0 atau 1.

o   Cas kapasitor harus disimpan.

Static RAM

·         Bit disimpan sama ada buka atau tutup suis tersebut.

·         No charges to leak

·         No refreshing needed when powered

·         More complex construction

·         Setiap satu bit besar

·         Lebih mahal

·         Does not need refresh circuits

·         Cepat

·         Cache

·         Digital

o   Menggunakan flip-flop.

STATIC RAM OPERATION.

·         Transistor arrangement gives stable logic state

·         State 1

o   C₁ high, C₂ low

o   T₁ T₄off, T₂ T₃on

·         State 0

o   C₁ low, C₂ high

o   T₁ T₄on, T₂ T₃off.

·         Address line transistors T₅ T₆ is switch.

·         Write – apply value to B and compliment to B.

·         Read – value is on line B.

SRAM vs DRAM.

·         Kedua-duanya volatile.

o   Kuasa diperlukan untuk keluarkan data.

·         Dynamic cell

o   Senang untuk dibina, dan kecil.

o   More dense

o   Kurang mahal

o   Needs refresh

o   Memori unit yang besar.

·         Static

o   Cepat

o   Cache

READ ONLY MEMORY(ROM)

·         Juga dikenali sebagai firmware.

·         ROM bukan sahaja digunakan didalam computer malahan kebanyakkan barangan elektronik juga.

·         Merupakan simpanan tetep

o   Non-volatile

·         Microprogramming

·         Subrutin library

·         Program system(BIOS)

·         Function tables

JENIS – JENIS ROM.

·         Menulis apabila dibuat

o   Sangat mahal untuk yang kecil.

·         Programmable (once)

o   PROM

o   Need special equipment to program

·         Read “mostly”

o   Erasable Programmable (EPROM)

§  Dipadam menggunakan UV

o   Electrically Erasable (EEPROM)

§  Mengambil masa yang lama untukmenulis berbanding membaca.

o   Flash memory

§  Memadam seluruh elektrik memori.

Error Correction

·         Hard failure

o   Permanent defect

·         Soft error

o   Random, non-destructive

o   Tiada kerosakan kekal kepada memori.

·         Dapat mengesan Hamming error menggunakan kod pembetulan.

                                                                                                                      -NURUL AIN FARHANA-